特許

J-GLOBAL ID：200903010516361140

半導体装置

発明者： 森 睦宏 ,  安田 保道 ,  櫻井 直樹 ,  荒川 秀俊 ,  大和田 廣
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204459
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121062
出願日： 1990年02月28日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】課題は、逆回復特性の優れた半導体装置を提供することにある。【解決手段】n- 層14及びp層16を有するダイオードにおいて、p層16の不純物量を単位面積当たり1×10の14乗個以下とする。【効果】本発明によれば、逆回復電流を低減できる。

請求項（抜粋）：

一方導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域内に隣接する他方導電型の第2の半導体領域と、第1の半導体領域に接触する第1の電極と、第2の半導体領域に接触する第2の電極と、を備え、第2の半導体領域の不純物量が1cm2 当たり1×10の14乗個以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-037683
  
• 特開昭58-060577
  
• 特開平3-248563