多結晶薄膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008977
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】良質な多結晶薄膜を製造する方法とそれを用いた半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】減圧CVD法により石英基板35上に非晶質珪素膜31を形成し、その上に金属膜33を形成する。次に、加熱処理によって再結晶化させて多結晶珪素膜36を形成する。その後、チャネル領域32上部の金属膜33を部分的に除去する。これにより、加熱処理によってチャネル領域32の表層に侵入した金属原子を取り除く。続いて、エキシマレーザ照射によりレーザアニールする。これにより、結晶粒が良質化される。この時、薄膜チャンネル領域32上部には金属膜33がないのでそれの侵入が防止される。従って、最適なチャネル領域32が形成できる。一方、他領域では金属原子が侵入して密着性が向上して、接触抵抗が低減する。この基板で、半導体装置を製造すれば、リーク電流と接触抵抗が低減された半導体装置が製造できる。

請求項（抜粋）：

基板の上に多結晶薄膜を形成する多結晶薄膜の製造方法であって、前記基板の上に非晶質薄膜を形成する非晶質薄膜形成工程と、該非晶質薄膜の上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記非晶質薄膜と前記金属膜が形成された前記基板を加熱処理し、前記非晶質薄膜を固相成長させて多結晶薄膜とする熱処理工程と、前記金属膜の一部又は全てを除去する金属膜除去工程と、前記基板全体に光照射して、前記多結晶薄膜を改質する光熱アニール工程とからなることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , H01L 21/205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 , C23C 14/14 B , C23C 14/14 D , C23C 14/58 C , H01L 21/205 , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 627 G

Fターム (74件)：

4K029AA08 , 4K029BA03 , 4K029BA08 , 4K029BA12 , 4K029BA17 , 4K029CA05 , 4K029GA01 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045CA15 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA25 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052FA06 , 5F052GB05 , 5F052JA01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ11 , 5F110QQ28

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