特許
J-GLOBAL ID：200903010519739845
化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242805
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107117
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、HBTの高速動作性並びに製造歩留りを向上させ、しかも、エミッタ・ベース間の短絡が起こらないように、また、ベース抵抗及びベース・コレクタ間容量を共に低減させようとする。【構成】 コレクタ層3とエミッタ層8との間に在るベース層がコレクタ・エミッタ間電流路を避けて形成されたベース電極5を挟んで上下二層、即ち、ベース層4及びベース層6で構成されている。従って、ベース電極5の表裏両面にベース層がコンタクトしているので、そのコンタクト抵抗は略1/2になる。
請求項（抜粋）：
コレクタ層とエミッタ層との間に在るベース層がコレクタ・エミッタ間電流路を避けて形成されたベース電極を挟んで上下二層で構成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
