半導体イオンセンサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307911
公開番号（公開出願番号）：特開2002-181776
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】低コスト化で経時安定性が高い半導体イオンセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】H+イオンを捕獲するイオン感応膜6がゲート酸化膜5上に形成されている。イオン感応膜6は、ゲート酸化膜5上にシリコン窒化膜(Si3N4膜)をLPCVD法により堆積させた後、当該シリコン窒化膜の表面に形成されている酸化膜(自然酸化膜)をフッ酸を含む溶液に浸漬して除去する酸化膜除去処理を施し、その後、水を電解して得られる酸性電解水または塩基性電解水からなる電解水を用いた表面処理(例えば、浸漬処理)を施すことにより形成されている。ここにおいて、表面処理は、ドレイン電流が一定となるように参照電極30に印加するバイアス電圧を可変制御した時にバイアス電圧が0.4V以上低下するような条件で行う。

請求項（抜粋）：

イオン感応膜を備えた半導体イオンセンサであって、上記イオン感応膜は、シリコン窒化膜に、水を電解して得られる酸性電解水または塩基性電解水を用いて表面処理を施すことにより形成されてなることを特徴とする半導体イオンセンサ。

IPC (3件)：

G01N 27/414 , G01N 27/416 , H01L 29/78

FI (4件)：

G01N 27/30 301 V , H01L 29/78 301 U , G01N 27/30 301 W , G01N 27/46 353

Fターム (7件)：

5F140AA00 , 5F140AC37 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BE14

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