特許

J-GLOBAL ID：200903010520798014

酸化物薄膜の製造方法および装置

発明者： 大圃 一実
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306978
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】ターゲットから飛来する粒子を遮蔽し、蒸発物質のみを基板に導くことにより、基板上に平滑な表面状態の酸化物薄膜が製造できるようにする。【構成】成膜チャンバ1内に設けたターゲット3と基板5との間に、ターゲット3表面のレーザ光照射位置からみて基板5が見えないような内径と外径を有するドーナッツ状の遮蔽部材16を設ける。これによりターゲット3から飛来する粒子を遮る。また、成膜チャンバ1内の隅に2個のターゲット3を互いに向き合うように設け、ターゲット3にレーザ光が照射されると発生する蒸発物質が互いに衝突して飛行経路が曲がり、遮蔽部材16に遮られることなく、基板5に導かれるようにする。

請求項（抜粋）：

酸素雰囲気下のターゲットにレーザ光を照射して蒸発した物質を基板上に酸化物薄膜として形成する酸化物薄膜の製造方法において、レーザ光を照射した複数のターゲットから飛来する密度の高い蒸発物質同士を途中で衝突させ、その衝突により曲った飛行経路をとらせて基板に当たるようにし、蒸発物質より遅れて複数のターゲットから飛来する密度の低い粒子は、衝突することなく、そのまま直線飛行経路をとらせて基板から外れるようにしたことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/22 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 39/24 ZAA B ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X