特許
J-GLOBAL ID：200903010520972685
半導体レーザ装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335666
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156376
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子の側面にろう材の這い上がりを低減して、信頼性の高い半導体レーザ装置の作製方法を提供する。【解決手段】 複数の半導体レーザ素子7をレーザ光の出射方向を揃えてマトリクス状に形成した半導体レーザ基板1の一方の面に金属ろう材2を膜付けした後、この半導体レーザ基板1の他方の面からレーザ光の出射方向と直交する方向に劈開して金属ろう材2付きの半導体レーザバー5を作製し、次に、この半導体レーザバー5の金属ろう材2側と反対面からレーザ光の出射方向と平行な方向に劈開して金属ろう材2付きの半導体レーザ素子7を作製し、更に、金属ろう材2側をマウント基板8と対向させるようにして半導体レーザ素子7をマウント基板8上に載置し、金属ろう材2に熱を印加した後、冷却して固着形成する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体レーザ素子をレーザ光の出射方向を揃えてマトリクス状に形成した半導体レーザ基板の一方の面に金属ろう材を膜付けした後、この半導体レーザ基板の他方の面からレーザ光の出射方向と直交する方向に劈開して前記金属ろう材付きの半導体レーザバーを作製し、次に、この半導体レーザバーの金属ろう材側の反対面からレーザ光の出射方向と平行な方向に劈開して前記金属ろう材付きの前記半導体レーザ素子を作製し、更に、前記金属ろう材側をマウント基板と対向させるようにして前記半導体レーザ素子を前記マウント基板上に載置し、前記金属ろう材に熱を印加した後、冷却して固着形成したことを特徴とする半導体レーザ装置の作製方法。
Fターム (3件)：
5F073CB23
, 5F073DA32
, 5F073DA34
