特許
J-GLOBAL ID：200903010521321971
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164563
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】省エネルギー、低コストの観点から酸化膜エッチングに必要な高密度プラズマを効率よく生成する必要がある。【解決手段】円盤状の平板アンテナ5の周囲からUHF帯のマイクロ波を放射して電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させると共に、アンテナ5のプラズマ側の面に設けたガス供給板4の板厚をマイクロ波の表皮深さより厚くした。【効果】低電子温度高密度プラズマを用いた酸化膜エッチングができるので、優れた特性のエッチング結果が得られるとともに、省エネルギー、低コストの装置が得られる。
請求項（抜粋）：
真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を載置するための試料台と、プラズマ生成手段と、プラズマ生成用のガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマを生成する手段を前記試料と略平行に配置された導体平面板からなる電磁波供給手段とし、該平面板に給電された高周波電流の流れる表皮深さが該平面板の厚さよりも小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
Fターム (15件)：
5F004AA16
, 5F004BA14
, 5F004BB07
, 5F004BB11
, 5F004BB29
, 5F004BC08
, 5F004CA04
, 5F004CB02
, 5F004CB15
, 5F004DA00
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA26
, 5F004DB03
