半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196449
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】エッチング中にイオンの衝突や反応生成物の付着等の影響によってプロセスチャンバが透明度を失っても、これを事前に容易に確認することができ、もって常に自動終点検出の判定を正確に行えるために、半導体ウエハに対するエッチング精度を向上させ、またオペレータによるチャンバの透明度の管理の省力化を図ることができる半導体製造装置を得る。【構成】半導体ウエハ1を処理するプロセスチャンバ2の透明度を検出する投光器8及び受光器9と、受光器9からの検出信号である電流値がしきい値以下のときにはプロセスチャンバ2の透明度が悪いとしてエッチング動作を停止する制御回路7Aとで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを処理するプロセスチャンバの透明度を検出する検出手段と、上記半導体ウエハのエッチング動作を制御する制御手段とを備え、上記プロセスチャンバの透明度が所定値以下のときは上記エッチング動作を停止するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。

前のページに戻る