半導体ウェハ研削方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-288933
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】目詰まりした砥石でウェハを研削すると、ウェハに研削ムラが発生する。この研削ムラが発生したウェハを一次ポリッシュしても研削痕となってウェハの表面上に残り、鏡面不良になる。目詰まりを防止するためには、定期的にドレスボードで砥石のドレッシングを行うという方法があるが、1回のドレッシングで砥石を100〜200μm削るため定期的にドレッシングを行うと砥石の寿命を下げてしまう。【解決手段】砥石の寿命を下げずに研削屑を取り除く方法として、砥石の研削面に高圧の水を吹きかける。1枚研削する毎に砥石を高圧の水で洗浄することにより、砥石の目詰まりを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの研削において、砥石に水を吹きかけ砥石に付着した研削屑を除去しながら研削する半導体ウェハ研削方法。

Fターム (2件)：

3C047FF03 , 3C047FF19

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