特許

J-GLOBAL ID：200903010528789081

ショットキバリアダイオード及びその製造方法

発明者： 石原 賢次
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142877
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332266
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板1上に形成した厚さ2.0〜3μmのエピタキシャル層2の表面にポリシリコン膜6を形成し、このポリシリコン膜6上から第2導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ0.2〜0.5μmのガードリング層4を環状に形成する。そして、ガードリング層4の内周縁より内側に形成したポリシリコン膜6を取り除き、ショットキメタルとなる金属層7をエピタキシャル層の表面に接して形成する。このため、逆バイアス時に広がる空乏層8の範囲が狭くなることがなく、耐圧の低下を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成したエピタキシャル層の表面から第2導電型のガードリング層を環状に形成し、前記エピタキシャル層及び前記ガードリング層と接する金属層を形成したショットキバリアダイオードであって、前記ガードリング層の厚みを0.2〜0.5μmとしたことを特徴とするショットキバリアダイオード。

FI (3件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 G

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD96 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-133569
  
• 特開昭51-146178
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-133569
  
• 特開昭51-146178