特許
J-GLOBAL ID：200903010529075511

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
熊谷 欣一

熊谷 欣一 について

, 
平岩 克朗

平岩 克朗 について

, 
小酒井 一成

小酒井 一成 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299417
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114636
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】樹脂封止半導体装置に、量産性に優れ、取り付け工数を増加させることなく、高い密着性をもって放熱体を形成する。【解決手段】多層配線基板上の半導体素子を樹脂封止モールド用金型中に配置し、同時に耐熱性シートの一方の面に薄い放熱性のセラミック材を形成したセラミックシートを、セラミック材側が半導体素子側に対向するように配置して、半導体装置のモールド樹脂封止をする。これにより樹脂封止半導体素子の半導体素子側の樹脂面上に、セラミックシートからセラミック材が分離されて密着・載置され、所期の放熱体が形成された半導体装置を得ることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が搭載された基板を金型の基台に配置する工程と、 一方の面にセラミック材が形成されたシート状基材を金型の受け台の内側に貼付する工程と、 金型の該基台と該受け台とを勘合し、該基台と該受け台により形成されるキャビティ内に該基板を保持する工程と、 該キャビティ内に樹脂を注入し該半導体素子及び該基板を樹脂封止する工程と、 該セラミック材を該シート基材より分離しながら該樹脂封止された半導体素子と該基板を該金型より取り出す工程と、 該樹脂封止された半導体素子と基板とを分割し個片化する工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29
FI (3件)：
H01L21/56 T ,  H01L23/12 501W ,  H01L23/36 A
Fターム (10件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC24 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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