特許

J-GLOBAL ID：200903010529380802

蛍光体及び蛍光体の製造方法

発明者： 伊藤 茂生 ,  米沢 禎久 ,  土岐 均
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社 ,  柊元 宏
代理人 (1件)： 西村 教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279709
公開番号（公開出願番号）：特開平7-133484
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】数100V〜2kV位の陽極電圧で加速した電子の射突によって高い発光効率で発光する蛍光体と、その製造方法を提供する。【構成】基板に被着した母体結晶のZnGa2 O4 にMnをイオン注入する。150、90、30keVの3種類を注入エネルギーとして選択し、高い注入エネルギーから3回に分けて順次イオン注入を行う。Mnの濃度は、発光範囲である深さ2000オングストロームの範囲内において、100〜1000オングストロームの範囲において略一定となる。一回のイオン注入による比較例に比べて高い発光効率が得られる。所定範囲の深さにわたって発光中心が分散し、その濃度分布に一定な領域があると、同範囲内における欠陥の分布も広がり、特定深さにおける欠陥濃度が前記比較例よりも小さくなるためである。

請求項（抜粋）：

その表面からの深さが2500オングストロームよりも浅い範囲において、発光に寄与する添加剤が、深さ方向の所定範囲内に均一濃度で分散した蛍光体。

IPC (4件)：

C09K 11/62 CPN ,  C09K 11/08 ,  H01J 29/20 ,  H01J 61/44

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-037183
  
• 特開昭48-017689
  
• 特開昭50-115184
  
• 特開昭63-088785