特許
J-GLOBAL ID：200903010530478417
半導体装置におけるキャパシタ部の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198545
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045319
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置のキャパシタ部の製造において、その下部電極の表面に形成される自然酸化膜を除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、キャパシタの下部電極(粗面ポリシリコン膜)3の表面の自然酸化膜を除去した後、その下部電極の上に熱酸化膜(RTO膜)4(あるいは熱酸窒化膜(RTON膜))を形成し、その上にシリコン窒化膜5、シリコン酸化膜6、上部電極7を形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に、キャパシタの下部電極として表面を凹凸形状にした導電型の膜を形成する工程、(b)前記導電型の膜の表面にできた自然酸化膜を除去する工程、(c)前記自然酸化膜を除去した導電型の膜の上に熱酸化膜(RTO膜)を形成する工程、(d)前記熱酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程、以上の工程を含むことを特徴とする半導体装置におけるキャパシタ部の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/04
