特許

J-GLOBAL ID：200903010532665532

半導体装置の製造方法

発明者： 渕野 史裕
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152482
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321613
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド層の異常酸化を防ぐ。【構成】 ポリサイドゲート電極に、回転斜め注入法により窒素をイオン注入した後、酸化処理を行なう。タングステンシリサイド層3の表面にシリコン窒化物とシリコン酸化物の薄い層21が形成される。その後、高温酸化膜を堆積し、全面エッチバックを施してゲート電極の側面に高温酸化膜の側壁スペーサ23を形成する。このとき、結晶化したタングステンシリサイド層5の表面の薄い層21にシリコン窒化膜が残る。その後の熱処理時にはこの薄いシリコン窒化膜が酸化保護膜となり、タングステンシリサイド層5の表面の異常酸化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜上にポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記高融点金属シリサイド膜及びポリシリコン膜をパターン化してゲート電極を形成する工程と、ゲート電極に回転斜め注入法により窒素をイオン注入する工程と、その後、ゲート電極を酸化する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T