特許
J-GLOBAL ID：200903010535752584

半導体記憶装置の読み出し装置および読み出し方法

発明者：
本間 良和

本間 良和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248359
公開番号（公開出願番号）：特開2002-063793
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 内部電源電圧の低下が起こったとしても、メモリセルに記憶されているデータを正確に外部に出力することができるようにする。【解決手段】 メモリセルの出力電圧と、上記メモリセルの出力電圧と比較するための第1のリファレンスレベルの電圧を出力する第1のリファレンスセル610の出力電圧とが比較可能な電圧に達したか否かを第1〜第3のリファレンスセル610、101、105の出力電圧に基づいて判断し、比較可能な電圧に達してから、上記メモリセルの出力電圧と上記第1のリファレンスセル610の出力電圧との比較結果をメモリセルの記憶データとして第1のラッチ回路613に記憶し、出力バッファ614を介して出力するようにすることで、内部電源電圧の低下が起こったとしても、メモリセルに記憶されているデータを正確に出力することができるようにする。
請求項（抜粋）：
メモリセルの出力電圧と、上記メモリセルの出力電圧と比較するための第1のリファレンスレベルの電圧を出力する第1のリファレンスセルの出力電圧とを比較してメモリセルの記憶データを読み出す半導体記憶装置の読み出し装置であって、上記メモリセルの出力電圧と上記第1のリファレンスセルの出力電圧とが比較可能な電圧に達したか否かを判断する判断手段と、上記判断手段による判断結果に応じて、上記メモリセルの出力電圧と上記第1のリファレンスセルの出力電圧とを比較し、上記比較の結果を上記メモリセルの記憶データとして出力する比較手段とを備えることを特徴とする半導体記憶装置の読み出し装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 17/00 ,  G11C 17/18
FI (3件)：
G11C 17/00 E ,  G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 306 A
Fターム (9件)：
5B003AA05 ,  5B003AB03 ,  5B003AC07 ,  5B003AD06 ,  5B025AA03 ,  5B025AC01 ,  5B025AD07 ,  5B025AE00 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体記憶回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221618   出願人：富士通株式会社
  • マイクロコンピュータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-266235   出願人：三洋電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-170615   出願人：松下電子工業株式会社

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