特許
J-GLOBAL ID:200903010536437852
被覆導体厚膜前駆体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-512648
公開番号(公開出願番号):特表2003-517984
出願日: 2000年07月14日
公開日(公表日): 2003年06月03日
要約:
【要約】厚膜の(YBCO等の)希土類Ba2 Cu3 O7-δの超伝導層を調製するための方法であって、特に、結合剤又は溶媒あるいはその両成分を含む固体材料の分散体として前駆体の成膜を含む方法。固体材料は、酸化物、フッ化物、及び超微粒子のイットリウム、バリウム、銅アセテートを含む。
請求項(抜粋):
超伝導膜を生成するための前駆体構成物であって、 前記前駆体は少なくとも1つの前駆体構成要素の粒子と、前記粒子を含有し前記粒子を分散する分散体と、を含むことを特徴とする前駆体構成物。
IPC (5件):
C01G 1/00
, C01G 3/00
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
FI (5件):
C01G 1/00 S
, C01G 3/00
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
Fターム (31件):
4G047JC03
, 4G047KA02
, 4G047KA14
, 4G047KB07
, 4G047KB12
, 4G047KB17
, 4G047KD04
, 4G047KE04
, 4G047KE07
, 4G047LB03
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113BA01
, 4M113BA04
, 4M113BA08
, 4M113BA16
, 4M113BA23
, 4M113CA34
, 4M113CA35
, 4M113CA36
, 5G321AA01
, 5G321AA02
, 5G321AA03
, 5G321AA04
, 5G321BA07
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA22
, 5G321CA24
, 5G321CA26
, 5G321DB21
引用特許:
引用文献:
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