特許
J-GLOBAL ID：200903010540518212
スパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245179
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083974
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。【解決手段】不均一な膜形成の原因となる基板方向へのプラズマの拡散を抑制するために、カソードユニットにおける磁気回路10の中心部と外縁部の内外磁束密度比を2.5以上とし、ターゲット42表面に、磁束密度の垂直成分がゼロとなる位置がターゲット42から垂直方向に離れるに従いターゲット42の中心部から外側に広がる磁力線形状の磁場を形成する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
ターゲットの表面に磁場を形成してプラズマ密度を高め、プラズマ中の陽イオンが前記ターゲットをスパッタリングすることによって発生したターゲット原子を基板に堆積させ、基板上に薄膜を形成するスパッタ成膜方法において、
ターゲット面に対して基板側に、磁束密度の垂直成分がゼロとなる位置が、ターゲットから垂直方向に離れるに従いターゲットの中心部から外側に広がる磁力線形状を有する磁場を形成し、
該磁力線形状を有する磁場によって前記基板側へのプラズマの拡散を抑制することにより膜厚分布及び膜質分布の均一化を図ることを特徴とするスパッタ成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/35 E
, G02F1/13 101
2H088FA19
, 2H088FA25
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088KA30
, 2H088MA04
, 2H088MA20
, 4K029AA09
, 4K029BA43
, 4K029BA58
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC05
, 4K029DC43
, 4K029EA01
