化合物半導体層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039952
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249579
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】多層構造における組成の異なる化合物半導体層の不純物濃度に変化をきたすことなく、転位が少ない化合物半導体層の形成方法を提供する。【構成】シリコン基板1上に第1の化合物半導体層2を形成し、酸化シリコン膜3を成膜後パターニングして、素子形成領域の酸化シリコン膜を除去し、アニールを行って、第2の化合物半導体層4を形成する化合物半導体層の形成方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、厚さ1〜3μmの第1の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、該第1の化合物半導体層上に、前記シリコン基板および該第1の化合物半導体層と熱膨張係数の異なる膜を成膜する工程と、該膜をパターニングし、前記第1の化合物半導体層上の素子形成領域部分の該膜を除去する工程と、前記第1の化合物半導体層上にパターニングされた前記膜を有する前記シリコン基板を800〜900°Cで、5〜10分アニールする工程と、該アニール工程終了後、前記第1の化合物半導体層の前記素子形成領域上に第2の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を有することを特徴とする化合物半導体層の形成方法。

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