MOS型半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070596
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283551
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】MOS型半導体素子の製造工程を見直し、工程数の低減、特性の向上を図る。【構成】厚い初期酸化膜を形成したのち、ゲート酸化膜を形成する領域を除去する工程を最初に行うことにより、その際形成したマーカを以後の各工程でのフォトプロセスの共通基準マーカとして使用してパターンの位置ずれを減らす。また、ゲート酸化膜形成前に耐量向上のための領域を形成する不純物の導入を行い、ゲート酸化膜形成とその不純物のドライブを同時に行って工程数を減らす。

請求項（抜粋）：

半導体基体の第一導電形半導体層の表面層に選択的に形成された第二導電形のチャネル領域と、チャネル領域の表面層に選択的に形成された第一導電形のソース領域と、チャネル領域のソース領域の一部を含む中央部にチャネル領域より深く形成された第二導電形の高不純物濃度領域と、ソース領域の外側のチャネル領域の表面上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極とを有するMOS型半導体素子の製造方法において、第一導電形半導体層の一面上に厚い酸化膜を形成する工程と、厚い酸化膜を選択的に除去する工程と、厚い酸化膜の除去された領域に開口部を有するレジスト膜マスクを形成する工程と、そのレジスト膜マスクを用いて第二導電形化不純物を導入する工程と、前記レジスト膜マスクを除去したのち厚い酸化膜の除去された領域表面に薄いゲート酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とするMOS型半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/266 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 321 P , H01L 21/265 M , H01L 21/265 W , H01L 29/78 321 S

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