特許
J-GLOBAL ID:200903010548570191

イメージセンサおよび固定パターンノイズの除去方式

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-044044
公開番号(公開出願番号):特開平8-242330
出願日: 1995年03月03日
公開日(公表日): 1996年09月17日
要約:
【要約】【目的】 高感度、高S/NのイメージセンサおよびFPN除去方式を提供する。【構成】 イメージセンサはフォトダイオードとリセットスイッチ、画素アンプ、リセット直前および直後の画像信号をそれぞれサンプルし保持する手段、保持された両信号をゲートに受けて動作する一対のV/I変換用およびアクセス用MOS-FET、これらのMOS-FETのゲートを暗信号時の電圧にセットする一対のセット用MOS-FETとからなる複数個の画素、およびアクセスパルスを発生させるシフトレジスタ、セット用電源、明信号用および暗信号用の共通信号ラインからなる。アクセスパルスの前半で一対の共通信号ラインから第1の一対の信号電流を出力させた後、アクセスパルスの後半でセット用MOS-FETを導通させることにより、一固定パターンノイズ除去する。
請求項(抜粋):
フォトダイオードとリセットスイッチ、画素アンプ、画素アンプの出力端子に出力されるリセット直前の画像信号(明信号)をサンプルし保持する手段およびリセット直後の画像信号(暗信号)をサンプルし保持する手段、保持された明信号、暗信号をゲートに受けて動作する一対のV/I変換用およびアクセス用MOS電界効果型トランジスタ(MOS-FET)、一対のV/I変換用MOS-FETのゲートを暗信号に近い電圧にセットする一対のセット用MOS-FETとからなる複数個の画素、およびアクセスパルスを発生させるシフトレジスタ、セット用電源、明信号側のアクセス用MOS-FETのソース電極を共通に接続してなる明信号用共通信号ライン、暗信号側のアクセス用MOS-FETのソース電極を共通に接続してなる暗信号用共通信号ラインからなることを特徴とするイメージセンサ。
IPC (4件):
H04N 1/028 ,  H01L 27/146 ,  H04N 1/40 ,  H04N 5/335
FI (4件):
H04N 1/028 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H04N 1/40 G

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