特許
J-GLOBAL ID：200903010549766332
半導体素子の金属配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071657
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274093
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程で、確実な金属配線を行うことができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。【構成】 半導体基板11の酸化膜12上にCuにぬれ易い材質のTa薄膜13で配線パターンを形成する工程と、その後Cuを成膜し、350°C以上のアニール工程を施し、Cu配線14を形成する工程とを施すようにしたものである。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板の酸化膜上に配線金属にぬれ易い材質の金属薄膜で配線パターンを形成する工程と、(b)その後配線金属を成膜し、アニール工程を施し、金属配線を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 B
