高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095870
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287495
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】この発明は、内表面が平滑でパーティクルの発生を極力少くでき、半導体ウェハの成膜処理が歩留まりよく出来るようにしクラックのない高純度炭化珪素質半導体部材を得ようとするものである。さらに、高純度炭化珪素質炉芯管については、その熱容量を小さくしようとするものである。【解決手段】カーボン基材の外表面に熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を形成し、該熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層の表面にCVDによりSiC膜を形成し、次にカーボン基材と基材表面に形成した熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を酸化除去することを特徴とする高純度炭化珪素質半導体処理部材の製造方法である。

請求項（抜粋）：

カーボン基材の外表面に熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を形成し、該熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層の表面にCVDによりSiC膜を形成し、次にカーボン基材と基材表面に形成した熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を酸化除去することを特徴とする高純度炭化珪素質半導体処理部材の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/36 A , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (10件)

高純度炭化珪素体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-311347 出願人：信越化学工業株式会社
特開昭49-079172
特開昭51-038966

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