特許
J-GLOBAL ID：200903010557455338
厚膜パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173583
公開番号（公開出願番号）：特開平9-029639
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【目的】 サブトラクティブ法により厚膜パターンを形成するに際し、パターン形成材料の研削容易性と良好な仕上がりパターンを両立させる。【構成】 レジストマスク7の開口部に対応するパターン形成材料をサンドブラスト法により除去した後、レジストマスク7上に可撓性のフィルム、例えば粘着テープ8を貼り合わせ、当該フィルムと共にレジストマスク7を物理的に剥離する。レジストマスク7の剥離に従来のような湿式剥離を行わずにすむので、研削が容易で機械的強度が低いパターン形成材料を用いても、レジストマスク7の良好な剥離を行うことが可能となり、サンドブラストによる他の構成材料へのダメージが軽減できる。
請求項（抜粋）：
無機粉体と樹脂バインダーとを主成分とするパターン形成材料からなるパターン形成層を対象物上に形成する工程と、該パターン形成層上にレジストマスクを形成する工程と、該レジストマスクの開口部に対応するパターン形成材料を除去する工程と、該レジストマスクを剥離する工程と、焼成によりパターン形成材料を焼結する工程とを含む厚膜パターン形成方法において、レジストマスクを剥離する前記工程を、レジストマスク上に可撓性のフィルムを貼り合わせ、当該フィルムと共にレジストマスクを物理的に剥離するようにしたことを特徴とする厚膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
B24C 1/04
, H04N 5/66 101
B24C 1/04 C
, H04N 5/66 101 Z
