特許
J-GLOBAL ID：200903010557854542
超磁歪素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251655
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 動作可能な周波数を高めることによって高周波での動作が可能であると共に、機械的強度が大で信頼性の高い超磁歪素子を低コストで提供する。【解決手段】 希土類と鉄を主成分とするラーベス相超磁歪材料部1Mと絶縁材料部1Bを有する一体型超磁歪素子1であって、絶縁材料部1Bが平板ないしはシート形状をなし、素子動作時の磁界印加方向に対して平行に、且つ、複数が並列型ないしは格子型に配置していると共に、超磁歪材料部1Mと絶縁材料部1Bとの接合部において両部の構成元素が相互に拡散して接合されている超磁歪素子1。
請求項（抜粋）：
希土類と鉄を主成分とするラーベス相超磁歪材料部と絶縁材料部を有する一体型超磁歪素子であって、超磁歪材料部と絶縁材料部との接合部において両部の構成元素が相互に拡散して接合されていることを特徴とする超磁歪素子。
IPC (3件)：
H01L 41/12
, B22F 7/08
, H01L 41/20
H01L 41/12
, B22F 7/08 D
, H01L 41/20
