アクティブマトリクス基板の製造方法およびアクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法および電気光学装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373964
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205754
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】レーザー照射による短絡配線の切断時の生産性が高く、配線の高密度化、回路の高集積化が容易なアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、レーザー加工装置から射出されるレーザー光を基板上で走査させながら照射することにより、短絡した複数の信号線から短絡配線を電気的に切断する工程を備えている。そして、前記切断工程においては、アライメントマーク15等の所定のパターンを基準としてレーザー光の照射位置を制御し、レーザー光を局所的に照射することにより所望の短絡配線11,12のみを電気的に切断する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

複数の信号線が設けられ、前記複数の信号線同士を短絡させる短絡配線を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、レーザー加工装置から射出されるレーザー光を基板上で走査させながら照射することにより、短絡した複数の信号線から前記短絡配線を電気的に切断する工程を備え、前記切断工程においては、所定のパターンを基準として前記基板上でのレーザー光の照射位置を制御し、前記基板上で前記レーザー光を局所的に照射することにより所望の短絡配線を電気的に切断することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (3件)：

G02F1/13 , B23K26/00 , G02F1/1333

FI (3件)：

G02F1/13 101 , B23K26/00 310E , G02F1/1333 500

Fターム (22件)：

2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088HA02 , 2H088HA03 , 2H088HA06 , 2H088HA12 , 2H088HA15 , 2H088HA18 , 2H088JA05 , 2H088MA20 , 2H090HC18 , 2H090JB02 , 2H090JC13 , 2H090LA01 , 2H090LA02 , 2H090LA03 , 2H090LA04 , 2H090LA06 , 2H090LA09 , 2H090LA15 , 4E068AE01 , 4E068DA11

前のページに戻る