特許

J-GLOBAL ID：200903010560441437

表面弾性波素子

発明者： 中幡 英章 ,  桧垣 賢次郎 ,  藤井 知 ,  北林 弘之 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021598
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222990
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 表面弾性波素子の高周波化および省電力化・小形化のために、表面弾性波の伝搬速度V、電気機械結合係数(K2 )、及び遅延時間温度係数(TCD)を共に改良する。【構成】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配置された多結晶C軸配向性のLiNbO3 と、該LiNbO3 層上に配置されたSiO2 層と櫛型電極を少なくとも含み且つn次モードの表面弾性波(n=0,1,2:波長:λμm)を利用する表面弾性波素子であって,前記LiNbO3 層の厚さをt1 (μm)とし、且つ前記SiO2 層の厚さをt2 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)、及びkh2 =2π(t2 /λ)が一定の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配置された多結晶C軸配向性のLiNbO3 と、該LiNbO3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置されたSiO2 層を少なくとも含み、且つ0次モードの表面弾性波(波長:λμm)を利用する表面弾性波素子であって;前記LiNbO3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)が0.25≦kh1 ≦0.45の範囲にあり、且つ前記SiO2 層の厚さをt2 (μm)とした際に、kh2 =2π(t2 /λ)が0.1≦kh2 ≦0.45の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。

IPC (4件)：

H03H 9/25 ,  H03H 3/08 ,  H03H 3/10 ,  H03H 9/145

FI (5件)：

H03H 9/25 C ,  H03H 3/08 ,  H03H 3/10 ,  H03H 9/145 C ,  H03H 9/145 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-198412
  
• 表面弾性波素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-222475   出願人：住友電気工業株式会社