特許

J-GLOBAL ID：200903010561642339

半導体光電陰極

発明者： 二橋 得明
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245057
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ノイズ及び暗電流を減少させる。【構成】 入射光により光電子を発生する光吸収層110と、この光吸収層とヘテロ接合をなす電子移送層130a,130bとを有し、電子移送層上の放出面側に形成された電極122,142から印加された外部バイアスにより光電子を電子移送層中を移送させて放出面150から放出する半導体光電陰極であって、電子移送層は、そのバンドギャップが光吸収層から離れると大きくなるように組成された第1のグレーデッド層132と、この第1のグレーデッド層の上方に形成され、そのバンドギャップが放出面に近付くと小さくなるように組成された第2のグレーデッド層134とを含んで構成される。

請求項（抜粋）：

入射光により光電子を発生する光吸収層と、この光吸収層とヘテロ接合をなす電子移送層とを有し、電子移送層上の放出面側に形成された電極から印加された外部バイアスにより前記光電子を前記電子移送層中を移送させて前記放出面から放出する半導体光電陰極であって、前記電子移送層は、そのバンドギャップが前記光吸収層から離れると大きくなるように組成された第1のグレーデッド層と、この第1のグレーデッド層の上方に形成され、そのバンドギャップが前記放出面に近付くと小さくなるように組成された第2のグレーデッド層とを含んで構成されていることを特徴とする半導体光電陰極。