特許
J-GLOBAL ID：200903010563988372
半導体装置アセンブリおよびその組立方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 豊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053277
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置アセンブリのTABテープとして、電源面、グランド面の一方または双方と、リード導電路を有するパターン化された信号用導電面とが分離・絶縁されたもの、またその組立方法、ボンディング方法を提供する。【構成】 リード導電路を有するパターン化された第1の導電層と、第1の絶縁層と、パターン化されていない第2の導電層とが積層され、第1の絶縁層は中央に開口部が形成されてそこにダイが配設され、リード導電路の内側端がダイに接続される。選択されたリード導電路が第1の絶縁層の内側、外側の縁で切断され、分離された内側部分、外側部分がそれぞれ曲げられ、第2の導電層の縁部に接合される。さらに第3の導電層が第2の絶縁層を介して積層されることもあり、この場合は選択された他のリード導電路が前記同様に切断され、曲げられ、さらに第3の導電層に接続される。
請求項（抜粋）：
複数の導電路を有するパターン化された第1の導電層と;中央開口部を規定する内側縁を有し、かつ導電路の内側端がダイにボンディングされ得るようにその導電路の内側部分を前記中央開口部内に延出させた状態で、その導電路の中間部分を支持する第1の絶縁層と;導電路に対し反対の側において第1の絶縁層の一方の側に設けられ、かつ前記開口部内に延出する第2の導電層であって、前記第1の絶縁層の開口部内に露呈する内側縁部分を持つ第2の導電層と;を有し、前記第1の導電層と、第1の絶縁層と、第2の導電層とが全体として“サブストレート”を形成しており;さらに前記導電路の内側端にボンディングされるダイであって、そのダイと第1の絶縁層の内側縁との間のギャップに導電路の内側部分が架け渡されるようになってるダイを備え;選択された導電路が、実質的に第1の絶縁層の内側縁において切断されて、第1の絶縁層を過ぎるように曲げられ、第2の導電層の露呈された内側縁部分に接合されている、半導体装置アセンブリ。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
