半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-341560
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149207
出願日： 2005年11月28日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】低電圧化と高速動作化を実現した差動増幅回路を提供する。【解決手段】一対の第1入力端子にそれぞれゲートが接続された第1及び第2導電型の第1及び第2差動MOSFET対の第1共通ソースにそれぞれ第1及び第2容量手段及び第1及び第2導電型の第1及び第2電流源MOSFETを設けて第1及び第2増幅部を構成する。上記第1及び第2差動MOSFET対に流れる電流をそれぞれ供給する第2及び第1導電型の第1及び第2MOSFET対及び上記第1及び第2MOSFET対のそれぞれに直列形態にされた第2及び第1導電型の第3及び第4MOSFET対により第1及び第2出力部を構成する。上記第3MOSFET対と第4MOSFET対の対応するドレイン同士を接続して一対の出力端子とし、上記第1及び第2電流源MOSFET並びに上記第1ないし第4MOSFETのゲートにバイアス電圧を供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の第1入力端子にそれぞれゲートが接続された第1導電型の第1差動MOSFET対、上記第1差動MOSFET対の第1共通ソースに設けられた第1容量手段及び第1導電型の第1電流源MOSFETを有する第1増幅部と、上記一対の第1入力端子にそれぞれゲートが接続された第2導電型の第2差動MOSFET対、上記第1差動MOSFET対の第2共通ソースに設けられた第2容量手段及び第2導電型の第2電流源MOSFETを有する第2増幅部と、上記第1差動MOSFET対に流れる電流を供給する第2導電型の第1MOSFET対及び上記第1MOSFET対のそれぞれに直列形態にされた第2導電型の第3MOSFET対を含む第1出力部と、上記第2差動MOSFET対に流れる電流を供給する第1導電型の第2MOSFET対及び上記第2MOSFET対のそれぞれに直列形態にされた第1導電型の第4MOSFET対を含む第2出力部とを含み、上記第3MOSFET対と第4MOSFET対の対応するドレイン同士を接続して一対の出力端子とし、上記第1及び第2電流源MOSFET並びに上記第1ないし第4MOSFETのゲートにバイアス電圧を供給した差動増幅回路を備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

G11C 11/419 , H01L 21/824 , H01L 27/11 , H01L 27/10 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H03F 3/45 , H03K 19/017

FI (6件)：

G11C11/34 311 , H01L27/10 381 , H01L27/10 481 , H01L27/04 F , H03F3/45 Z , H03K19/00 101K

Fターム (54件)：

5B015HH01 , 5B015JJ02 , 5B015JJ23 , 5B015JJ24 , 5B015KB13 , 5B015KB65 , 5B015PP02 , 5F038BB05 , 5F038CA05 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038EZ20 , 5F083BS00 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083LA01 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5J056AA01 , 5J056BB07 , 5J056BB18 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056DD51 , 5J056FF06 , 5J056FF07 , 5J056FF08 , 5J500AA01 , 5J500AA12 , 5J500AC37 , 5J500AC65 , 5J500AF20 , 5J500AH10 , 5J500AH17 , 5J500AH29 , 5J500AH39 , 5J500AK00 , 5J500AK04 , 5J500AK47 , 5J500AM17 , 5J500AM21 , 5J500AS00 , 5J500AT01 , 5J500AT06 , 5J500DN02 , 5J500DN12 , 5J500DN22 , 5J500DN23 , 5J500DP01

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第4,958,133号公報
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-046740 出願人：株式会社日立製作所

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