特許

J-GLOBAL ID：200903010567683070

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-155767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094581
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に高融点金属系材料膜を形成する場合も、広い開口に不都合な残存物が生じず、よってアライメント用開口が形成されて成る基板上に高融点金属材料膜を形成する場合も側壁部に残存するフィラメントにより問題が発生することなどが防止できる半導体装置の製造方法の提供。【構成】半導体基板10上、例えば基板10上に形成した層間膜2に、例えばアライメント部として用いる広い開口4と、例えば埋め込みコンタクトホールとして用いる狭い開口3を形成し、この上に高融点金属系材料(例えばW)膜6を形成し、その後この高融点金属系材料膜6をエッチングする工程を備え、かつこの高融点金属系材料膜6のエッチングに先立ち、広い開口4の側壁に形成された高融点金属系材料部分8を選択的に除去しておく半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に広い開口と狭い開口を形成し、この上に高融点金属系材料膜を形成し、その後この高融点金属系材料膜をエッチングする工程を備える半導体装置の製造方法において、前記高融点金属系材料膜のエッチングに先立ち、前記広い開口の側壁に形成された高融点金属系材料部分を選択的に除去しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 F