特許

J-GLOBAL ID：200903010568928432

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： 榎並 弘充 ,  八木 清美 ,  勝山 雅則 ,  紺野 秋彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201717
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047712
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の一製造工程であるプラズマエッチング処理期間中に半導体ウエハに付着する異物の量を大幅に低減する。【構成】 プラズマエッチン処理部4aの下部電極15の周囲に、第二プラズマ発生用電極28を設置した。プラズマエッチング処理に際しては、プラズマ放電停止直前に、第二プラズマ発生用電極28に高周波電圧を印加し、下部電極15の外周に高密度の副プラズマを形成することにより、処理室13内に、半導体ウエハ7の主面近傍に滞留する負に帯電した異物を半導体ウエハ7の外周に押し出すような副ポテンシャル分布を形成する。そして、半導体ウエハ7の主面近傍から押し出され第二プラズマ発生用電極28の周囲に移動してきた負に帯電した異物を排気口25を通じて真空ポンプに排気する。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する処理室内にプラズマを形成した状態で所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、前記処理室内のポテンシャル分布を、前記被処理基板の主面近傍に滞留する異物を被処理基板の外周方向に押し出す副ポテンシャル分布に切り換える工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-153885
  
• 特開平2-308533
  
• 特開昭63-081926