特許

J-GLOBAL ID：200903010569326576

半導体装置及びその製造方法、電子装置及びその製造方法

発明者： 山本 健一 ,  守田 俊章 ,  山田 宗博 ,  木本 良輔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114408
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309223
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半田接合部の耐衝撃強度の向上を図る。【解決手段】 半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。

請求項（抜粋）：

下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/92 602 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• はんだ接続部
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-115473   出願人：株式会社タムラ製作所
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046620   出願人：京セラ株式会社