固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251546
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097893
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】固体撮像装置において、電荷読出効率及び残像特性が低下することを防ぎ、かつ、遮光性が悪化することを防ぐこと。【解決手段】シリコン基板101表面部のPウェル上にゲート酸化膜106を介して形成された電荷読出電極110を有する固体撮像装置において等方性プラズマドライエッチ工程とパターン形成工程だけで、電荷読出電極110のエッジにテーパ形状を形成し、かつその直下の不純物濃度が、テーパを介してイオン注入することにより、濃度勾配を有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部のP型領域の表面部に選択的に形成された第1のN型領域を含むフォトダイオードと、前記第1のN型領域と所定間隔をおいて前記P型領域の表面部に選択的に形成された第2のN型領域でなる電荷転送用の埋込チャネル及びこれと前記半導体基板の表面に設けられたゲート絶縁膜を介して交差する電荷転送電極を含むレジスタと、前記電荷転送電極と結合し前記所定間隔部から前記第1のN型領域にかけて前記ゲート絶縁膜を選択的に被覆する電荷読出電極と、層間絶縁膜を介して前記第1のN型領域上に開孔を有し前記電荷読出電極の縁端部から前記第1のN型領域の一部の上部を被覆する遮光膜とを有する固体撮像装置において、前記フォトダイオードに電荷を蓄積する期間に、前記第1のN型領域の表面の任意の点からその深さ方向における電子に対するポテンシャルが極小となるポテンシャル極小面におけるN型不純物濃度が前記電荷読出電極下方で前記第2のN型領域寄りに減少する勾配を有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 29/762 , H01L 21/339

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 29/76 301 C

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