特許

J-GLOBAL ID：200903010577018090

光デバイスおよびその製造方法

発明者： 西田 哲朗 ,  小山 智子
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330669
公開番号（公開出願番号）：特開2004-163731
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】小型化が可能で生産性が高い光デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】光デバイス1000は、同一基板10上に形成された光能動素子部100および光受動素子部200を含み、前記光能動素子部100は、前記基板10に設けられた凸部20の上に配置されるデバイス層120と、前記基板10の一方の面および前記デバイス層120の上に配置される電極層110,130と、を含み、前記光受動素子部200は、導波路層210を含み、前記導波路層210は、柱状孔220が周期的に配列された2次元フォトニック結晶構造を有し、該2次元フォトニック結晶構造内には導波路として機能する線欠陥230が形成され、前記デバイス層120の少なくとも一方の端面は、前記導波路層210の線欠陥230の一方の端部と接している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成された光能動素子部および光受動素子部を含み、 前記光能動素子部は、前記基板に設けられた凸部の上に配置されるデバイス層と、前記基板の一方の面および前記デバイス層の上に配置される電極層と、を含み、 前記光受動素子部は、導波路層を含み、 前記導波路層は、柱状孔が周期的に配列された2次元フォトニック結晶構造を有し、該2次元フォトニック結晶構造内には導波路として機能する線欠陥が形成され、 前記デバイス層の少なくとも一方の端面は、前記導波路層の線欠陥の一方の端部と接している、光デバイス。

IPC (5件)：

G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  H01L31/10 ,  H01S5/026

FI (7件)：

G02B6/12 B ,  H01S5/026 618 ,  G02B6/12 F ,  G02B6/12 Z ,  G02B6/12 N ,  G02B6/12 M ,  H01L31/10 Z

Fターム (28件)：

2H047KA03 ,  2H047LA12 ,  2H047LA18 ,  2H047MA07 ,  2H047PA05 ,  2H047PA22 ,  2H047PA24 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049QA08 ,  5F049RA04 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ20 ,  5F073AA04 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073AB25 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29