特許

J-GLOBAL ID：200903010580095691

微細パターン形成方法

発明者： 勝山 亜希子 ,  笹子 勝 ,  山下 一博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005768
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249572
出願日： 1995年01月18日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 塩基性の半導体基板の上に形成された化学増幅型レジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひき又は食い込みを防止する。【構成】 半導体基板1の上に形成されたTiN膜2の上に酸性溶液を供給し、TiN膜2を酸性溶液7に浸漬して、半導体基板1の表面を中和するか又は半導体基板1の表面の塩基性を弱める。その後、半導体基板1の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜4を形成した後、該レジスト膜4に放射線を照射して露光する。露光されたレジスト膜4を現像してレジストパターン6を形成すると、裾ひきのないレジストパターン6が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に酸性溶液を供給する第1の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第2の工程と、前記レジスト膜に放射線を照射して露光する第3の工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する第4の工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/028 ,  H01L 21/26

FI (4件)：

H01L 21/30 561 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-338959