特許

J-GLOBAL ID：200903010582339997

単結晶シリコンの製造方法

発明者： 伊藤 公平
出願人/特許権者： 有限会社伊藤アソシエーツ
代理人 (1件)： 大西 正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273890
公開番号（公開出願番号）：特開2002-087900
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】 シリコン同位体Si-28,Si-29,Si-30のうちのいずれかの濃度が天然のシリコン元素よりも高い単結晶シリコンを、品質良く、且つ大量生産が可能なように製造することができる単結晶シリコンの製造方法を提供する。【解決手段】 同位体Si-28の濃度が天然のシリコン元素よりも高い単結晶シリコンを製造するには、シリコン融液11におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度をともに92.3%以上とするとともに、種結晶13におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度を92.3%以上とする。また、これをチョクラルスキー法により行う場合には、シリコン融液11を保持するルツボ12の材料を石英とし、且つその石英におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度を92.3%以上とする。

請求項（抜粋）：

シリコン融液に接触させた種結晶の表面に単結晶シリコンを付着成長させる単結晶シリコンの製造方法において、前記シリコン融液及び前記種結晶におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度がともに92.3%以上であることを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 501 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 501 A ,  C30B 29/06 502 F ,  H01L 21/208 P

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077CF10 ,  4G077ED01 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01 ,  5F053AA13 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR20