特許
J-GLOBAL ID：200903010582462934
半導体装置の製造方法およびその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014839
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高アスペクト比の開孔部を完全に埋め込んだAlまたはAl合金の形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の表面にシリコン酸化膜12を堆積し、これにコンタクトホール13を形成する工程と、シリコン酸化膜12表面とコンタクトホール13の底面及び側面にTi合金膜14を均一に堆積する工程と、シリコン基板11上にAl合金15を堆積する工程と、シリコン基板11を加熱すると同時にシリコン基板11に超音波振動を印加することによりTi合金膜14とAl合金15の濡れを促進し、Al合金15をコンタクトホール13の底部まで流し込む事を特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
基板表面に絶縁膜を堆積し前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記絶縁膜表面と前記開口部の底面及び側面にアルミニウム(Al)またはアルミニウム(Al)を主成分とする合金に対して濡れのよい物質の薄膜(濡れ層)を均一に堆積する工程と、前記基板上に前記AlまたはAlを主成分とする合金を堆積する工程と、前記基板を加熱すると同時に前記基板に超音波を印加することにより前記濡れ層と前記AlまたはAlを主成分とする合金の濡れを促進し、前記AlまたはAlを主成分とする合金を開口部の底部まで流し込む工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/30
, H01L 21/768
