特許
J-GLOBAL ID：200903010590168743
抵抗体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022223
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 抵抗特性,耐環境性,及び電力容量の向上を図りながら、焼結後における抵抗値の調整を可能にして所望の値が得られるようにした抵抗体の製造方法を提供する。【構成】 セラミック層2内に少なくとも1つの抵抗膜4を埋設して成形体を形成し、該成形体を高温焼結する。そして、この焼結体3に500 〜900 °Cの温度で熱処理を施して抵抗値を調整し、しかる後上記焼結体3の両端面3a,3bに上記抵抗膜4が接続される外部電極5を形成する。これにより抵抗体1を製造する。また、上記焼結後の焼結体にこれの表面にガラスをコーティングするとともに500 〜900 °Cの温度で熱処理を施す。さらに上記外部電極を蒸着,スパッタリング等の金属溶射により形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック層内に少なくとも1つの抵抗膜を埋設して成形体を形成し、該成形体を高温焼結した後、該焼結体に500 〜900 °Cの温度で熱処理を施し、しかる後上記焼結体の端面に上記抵抗膜が接続される外部電極を形成したことを特徴とする抵抗体の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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