特許
J-GLOBAL ID：200903010594712103
スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078837
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】マグネトロン方式で動作するスパッタリング陰極の使用の下に、基板上に化合物および合金を膜として形成するための、ならびに基本材料をドーピングするための、さらにこの膜をコスト的に有利に製造するための方法を提供する。【構成】ターゲットは複数部分37,38からなり、中央ターゲット37はドーピング材からなり、外側ターゲット38は基本材料から構成される。スパッタリング陰極23の磁石配列体は、位置定め可能な中心磁石ユニット29と、固定位置を有する、中心磁石ユニット29を囲む磁石ユニット25,26,27,28から構成され、これにより、ターゲット部分37,38には夫々特別に選定された磁界を用いてスパッタリングすることを可能となり、異なる材料が異なるレートでスパッタリング出来、任意のドーピングが可能となる。
請求項（抜粋）：
マグネトロン方式で動作するスパッタリング陰極を用いて化合物または合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法において、複数部分から成るターゲットによりスパッタリングがなされるようにし、この場合、少なくとも第1のターゲット部分が第1の材料成分を有しており、さらに第2のターゲット部分が第2の材料成分を有しており、さらにスパッタリング工程の間中は第1のターゲット部分に別個の第1スパッタリングプラズマが配属されており、さらに第2のターゲット部分に別個の第2のスパッタリングプラズマが配属されており、さらにスパッタリング工程の間中は基板上へ被着されるスパッタリングされる材料成分がドーピングされる基本材料,化合物または合金を形成することを特徴とする、スパッタリング陰極を用いて化合物または合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/08
, C23C 14/54
