特許
J-GLOBAL ID:200903010602462669
半透過型液晶表示素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-278763
公開番号(公開出願番号):特開2003-084273
出願日: 2001年09月13日
公開日(公表日): 2003年03月19日
要約:
【要約】【課題】基板上に凹凸を形成する工程の簡略化を図るとともに、光の映り込みを抑え良好な光散乱性を有する半透過型液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に多数の微細な凹凸部が形成された凹凸層が設けられ、前記凹凸層上に反射膜を形成した半透過型アレイ基板を有する半透過型液晶表示素子の製造方法であって、基板1の一方の面に露光波長付近にのみ吸収を持つ感光性樹脂膜3を塗布し、感光性樹脂膜3をフォトマスクを用いて露光および現像し、前記感光性樹脂膜から成る凹凸層を形成し、前記凹凸層を熱処理して溶融変形させ、前記凹凸層上に反射膜4を形成し、反射膜上4に透明画素電極5を形成する。
請求項(抜粋):
基板上に多数の微細な凹凸部が形成された凹凸層が設けられ、前記凹凸層上に反射膜を形成した半透過型アレイ基板を有する半透過型液晶表示素子の製造方法であって、前記半透過型アレイ基板を構成する基板の一方の面に露光波長付近にのみ吸収を持つ感光性樹脂膜を形成し、前記感光性樹脂膜をフォトマスクを用いて露光および現像し、前記感光性樹脂膜から成る凹凸層を形成し、前記凹凸層を熱処理して溶融変形させ、前記凹凸層上に反射膜を形成し、前記反射膜上に透明画素電極を形成することを特徴とする反射型液晶表示素子の製造方法。
IPC (6件):
G02F 1/1335 520
, G02B 5/02
, G02B 5/08
, G02F 1/1368
, G03F 7/004 505
, G03F 7/40
FI (8件):
G02F 1/1335 520
, G02B 5/02 C
, G02B 5/08 B
, G02B 5/08 D
, G02B 5/08 Z
, G02F 1/1368
, G03F 7/004 505
, G03F 7/40
Fターム (42件):
2H025AA00
, 2H025AB14
, 2H025AB17
, 2H025CC13
, 2H025DA34
, 2H025FA29
, 2H042BA03
, 2H042BA15
, 2H042BA20
, 2H042DA02
, 2H042DA11
, 2H042DB01
, 2H042DB10
, 2H042DC08
, 2H042DD10
, 2H042DE00
, 2H042DE04
, 2H091FA15
, 2H091FA16
, 2H091FB02
, 2H091FB08
, 2H091FC10
, 2H091FC22
, 2H091FD02
, 2H091FD23
, 2H091GA03
, 2H091GA13
, 2H091LA12
, 2H091LA16
, 2H092GA13
, 2H092HA05
, 2H092JA24
, 2H092JB07
, 2H092MA13
, 2H092MA29
, 2H092NA01
, 2H092NA27
, 2H092PA12
, 2H096AA24
, 2H096AA27
, 2H096AA28
, 2H096HA01
引用特許:
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