特許

J-GLOBAL ID：200903010611566760

半導体装置

発明者： 山本 敬二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154160
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008637
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】プリント基板上の配線などの信号伝送路に信号を出力させるための出力回路を備えてなる半導体装置に関し、ハイレベル値の正確な、かつ、CMOSレベルの信号よりも小振幅の出力信号を出力させることができ、しかも、高精度抵抗を必要とせず、製造工程の増加を招くことがない出力回路を備えた半導体装置を提供することを目的とする。【構成】データDATA1=ロウレベル、pMOSトランジスタ29=導通とされる場合、差動増幅器31によりpMOSトランジスタ28のゲート電圧を制御して、ノード32の電圧が電源電圧VT1になるようにし、出力信号OUT1のハイレベル値を電源電圧VDDよりも低電圧の電源電圧VT1になるように制御する。

請求項（抜粋）：

ソースに第1の電圧が供給される第1の電界効果トランジスタと、ソースを前記第1の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートを信号入力端とされ、ドレインを信号出力端とされた第2の電界効果トランジスタと、この第2の電界効果トランジスタが導通状態とされた場合に、この第2の電界効果トランジスタのドレイン電圧が第2の電圧になるように前記第1の電界効果トランジスタのゲート電圧を制御する制御回路とを有してなる出力回路を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/0948

FI (3件)：

H03K 19/00 101 F ,  H01L 27/04 F ,  H03K 19/094 B