特許
J-GLOBAL ID：200903010613235648
薄膜トランジスタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186173
公開番号（公開出願番号）：特開平6-003698
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 上層配線と下層配線のコンタクト抵抗を低減化する。基板切断面にAlが露出しないようにして後工程でのAlの溶出を防止する。【構成】 絶縁性基板11上に、ゲート配線となるAl配線12を形成し、Cr膜13によりAl配線12の端子部を覆うとともにCr膜により基板の切断部(A-A線)外で全ゲート配線が接続されるようにする。陽極酸化によりAl2 O3 膜14を形成する。SiNX 膜15を形成した後、その上に島状にa-Si膜を形成する。ドレイン配線を形成するときに同時にゲート配線の端子部にCr膜16を形成し、画素電極形成時に端子部にITO膜17を形成する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に基板周辺部に端子を有するゲート配線が複数本並行に設けられ、ゲート配線と直交するように複数本のドレイン配線が設けられ、ゲート配線とドレイン配線との交差する位置に薄膜トランジスタが配置されている薄膜トランジスタ装置において、前記ゲート配線が陽極酸化が可能な材料で形成され、かつゲート配線の少なくとも端子部分は、基板端面にまで延びる陽極酸化されない金属膜により被覆されていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 27/12
, H01L 29/784
