特許

J-GLOBAL ID：200903010618185762

半導体装置

発明者： 田上 知紀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213721
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049165
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】トランジスタの熱的安定化に必要とされるエミッタ抵抗を低減し、高安定かつ高性能なトランジスタを提供する。【解決手段】エミッタキャップ層中に量子化エネルギ準位が量子井戸外の半導体の禁制帯端とフェルミエネルギとの間に位置するような量子井戸構造を設け、その非線形な電流電圧特性により、動作領域における外部エミッタ抵抗を増加させずに電流制限を行う。

請求項（抜粋）：

エミッタ領域,ベース領域,コレクタ領域からなるバイポーラ型半導体装置において、エミッタ領域中に電子のデバイ長と同程度以下の寸法を有するポテンシャル障壁層とポテンシャル井戸層からなる量子井戸領域を有し、かつ、熱平衡状態において、その量子井戸中に形成される量子化エネルギ準位が量子井戸外の半導体の禁制帯端とフェルミエネルギとの間に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/205

Fターム (6件)：

5F003BE04 ,  5F003BE05 ,  5F003BF08 ,  5F003BM03 ,  5F003BN07 ,  5F003BP32