特許

J-GLOBAL ID：200903010629089315

半導体装置及びその製造方法

発明者： 仙田 亜由美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008026
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265888
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】バンプ同士の接合によって半導体チップを実装基板に実装する場合に、バンプ相互の位置ずれによって接合不良が発生する。【解決手段】複数のバンプが形成された半導体チップを、複数のバンプ4が形成された実装基板3にフリップチップ方式で実装するのに先立って、バンプ形成済みの実装基板3にバンプ4よりも厚くレジスト層5を形成し、このレジスト層5をパターニングすることにより、バンプ4の近傍で当該バンプ4の形成面から突出し、かつ、当該バンプ4側に向くガイド面(曲面)を有する断面半円状の突状ガイド5Aを実装基板3上に形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のバンプが形成された半導体チップを、複数のバンプが形成された実装基板にフリップチップ方式で実装するのに先立って、 前記半導体チップ及び前記実装基板の少なくとも一方に、前記バンプの近傍で当該バンプの形成面から突出し、かつ、当該バンプ側に向くガイド面を有する突状ガイドを形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (1件)：

H01L21/60 311Q

Fターム (3件)：

5F044KK16 ,  5F044KK23 ,  5F044LL04