特許

J-GLOBAL ID：200903010631168958

III-V族窒化物半導体の製造方法

発明者： 森本 泰司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057442
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、高効率の発光ダイオード、または、低しきい値の半導体レーザを作製する結晶成長方法を実現する。【解決手段】 Inを含有する窒化物半導体を活性層とする発光素子を製造する際に、単層の活性層、あるいは、井戸層と井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層からなる単一量子井戸構造、または、多重量子井戸型の活性層を成長中に、活性層を形成する層のいずれか、または、すべての層に対して、一定期間の成長中断、または、成長速度を遅くする成長速度抑制期間を設ける。その成長速度抑制期間の合計は、一つの層ごとに、1秒以上80分以下にすることにより、より効果が現われる。

請求項（抜粋）：

積層構造を有するIII-V族窒化物半導体の製造方法において、窒化物半導体層の成長は気相成長で行い、一つの窒化物半導体層の成長途中に成長抑制期間を1回以上設けることを特徴とするIII-V族窒化物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (39件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17