特許

J-GLOBAL ID：200903010637546881

ダイナミツクランダムアクセスメモリセル

発明者： ローランド ジー. デプチユツチ ,  フーセン チエン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136342
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ダイナミックランダムアクセスメモリセルの改良。【構成】 アクセストランジスタ上方に金属コンデンサを有し、タングステンプラグ60-66を使用して、装置基板の活性区域へコンタクトさせている。コンデンサの電荷格納プレート68用にタンタルを使用し、且つそれを酸化してコンデンサ誘電体72を与えている。該電荷格納プレート及び誘電体上にタングステン基準プレート74を付着形成し、装置上の全てのメモリセルに対する共通の基準プレートを与える。該酸化タンタル誘電体は、電荷格納プレートの側壁上にも形成され、従って該コンデンサの容量は電荷格納プレートを高くさせることにより増加させることが可能である。この構成は、適切な電荷格納容量を維持しながら全体的なセル寸法を縮小することを可能としている。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置用のコンデンサを製造する方法において、絶縁層上に耐火性金属層を形成し、前記耐火性金属層をパターン形成して複数個のコンデンサ電荷格納プレートを画定し、前記電荷格納プレートの側壁上及びその上部表面上に絶縁層を形成し、前記電荷格納プレート及び前記絶縁層上に金属層を形成してコンデンサ基準プレートを画定する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108