特許

J-GLOBAL ID：200903010638247292

露光装置および露光方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 安藤 裕通 ,  貫井 利男 ,  小山 峰乙
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054398
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの反りや凹凸などの変形があっても高精度な露光が行える露光装置および露光方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ウエハ変形測定部11を使用して、ウエハ2の変形を測定し、制御部10によって、ウエハ2の変形のデータを形成すると共にそのデータを蓄積した後、制御部10により、マスクステージ7にデータを与えて、マスクステージ7を使用して、フォトマスク6をデータに対応して変形させ、その後、光源4から光9を発生して、変形されたフォトマスク6のパターンをウエハ2の表面に描画することにより、ウエハ2の表面に形成されているフォトレジスト膜を露光するものである。

請求項（抜粋）：

ウエハステージ上に固定されているウエハの変形を測定するウエハ変形測定部と、前記ウエハ変形測定部が電気的に接続されている制御部とを有し、前記制御部に電気的に接続されているマスクステージには、前記ウエハの変形に対応してフォトマスクを変形する機能を有することを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 516 A ,  G03F 7/20 521