特許
J-GLOBAL ID：200903010642658175
重ね合わせ精度評価パターンおよびこれを用いた評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297414
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162383
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 サブハーフミクロン以降の微細加工向けに十分な精度で重ね合わせ精度に関する情報が提供でき、SEMで観測可能な重ね合わせ精度評価パターンと、これを用いた評価方法を提供する。【構成】 下層パターン2の直線エッジ2Eに沿う方向(Y方向)では任意の間隔sを隔て、これと垂直なX方向では互いに一定のズレ量dをもって配列される複数の正方形のホール4A〜4Gから構成されるホール・アレイを形成し、ホール内に露出する直線エッジ2Eを測長SEMで観察する。直線エッジ2Eが中心に観測されるホールの位置を重ね合わせズレの発生前後で比較し、このときのホールのシフト個数にズレ量dを乗じて重ね合わせズレの大きさを算出する。ホール・アレイを配線パターンの両エッジに沿って2列配し、線幅変動を検出することも可能である。
請求項（抜粋）：
基板上の下層側材料層を用いて形成される下層パターンと、該下層パターンを被覆する上層側材料層を用いて形成される上層パターンとの重なり状態にもとづいて、該下層側材料層と該上層側材料層の各々に形成される実回路パターン同士の重ね合わせ精度に関する情報を提供する重ね合わせ精度評価パターンであって、前記上層パターンは、前記下層パターンの直線エッジに沿う方向には互いに任意の間隔を隔て、該直線エッジに垂直な方向には互いに一定のズレ量をもって配列され、かつ少なくとも該直線エッジに垂直な方向の寸法が等しい複数のホールから構成される少なくとも1列のホール・アレイを有し、各ホールの底面に互いに異なる面積の該下層パターンを露出させるようになされた重ね合わせ精度評価パターン。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 502 V
