特許

J-GLOBAL ID：200903010643601657

半導体ウエハ

発明者： 高儀 光治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221083
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041449
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハのチップ無効領域での層状剥がれによるダストの発生を防止し、半導体チップの生産歩留まりを向上させること。【構成】 中央部表面に複数の半導体チップ領域4が形成してあり、外周囲表面には、チップ無効領域32が形成してあり、上記半導体チップ領域32には、金属配線層13,17と層間絶縁膜層11,14,15とが交互に少なくとも一層形成してあり、半導体チップ領域4とチップ無効領域32とがスクライブライン8に沿ってダイシングされる半導体ウエハ30において、上記チップ無効領域32では、層間絶縁膜層11,14,15が除去されている半導体ウエハ。

請求項（抜粋）：

中央部表面に複数の半導体チップ領域が形成してあり、外周囲表面には、チップ無効領域が形成してあり、上記半導体チップ領域には、金属配線層と層間絶縁膜層とが交互に少なくとも一層形成してあり、半導体チップ領域とチップ無効領域とがスクライブラインに沿ってダイシングされる半導体ウエハにおいて、上記チップ無効領域では、層間絶縁膜層が除去されていることを特徴とする半導体ウエハ。