特許

J-GLOBAL ID：200903010647339043

電界効果トランジスタ

発明者： 安藤 裕二 ,  恩田 和彦 ,  葛原 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160162
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 InGaAs歪層をチャネルに用いる二次元電子ガスFETにおいて、格子不整の増加に伴う臨界膜厚の低下を極力抑制しながら、実効的なIn組成比を増加することにより、電子濃度の増加と電子移動度の向上を実現する。【構成】 二次元電子ガスFETにおいて、ノンドープチャネル層をInxGa1-x As層(0≦x≦1)(3A,3B,3C)とすると共に、そのIn組成xを層厚方向に階段状に変化させ、電子供給層4との界面から30オングストローム以上110オングストローム以下離れた位置で最大値をとらせる。こうすることによって、電子密度が高い位置でのIn組成が局所的に増加し、従来の一様組成のInGaAsチャネルの場合と比べて実効的なIn組成が増加する。

請求項（抜粋）：

バッファ層,ノンドープチャネル層,n型不純物がドープされた電子供給層がこの順で積層された電界効果トランジスタにおいて、前記ノンドープチャネル層がInx Ga1-x As層(0≦x≦1)であると共に、そのIn組成比xは層厚方向に階段状に変化し、このノンドープチャネル層の前記電子供給層との界面から30オングストローム以上110オングストローム以下離れた位置で最大値をとることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-003464
  
• 特開平3-068143
  
• 特開平2-202029